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IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Top
V GS
- 15 V
10 1
10 1
- 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
25 ° C
175 ° C
- 6.0 V
- 5.5 V
10 0
- 5.0 V
Bottom - 4.5 V
- 4.5 V
20 μs Pulse Width
10 0
10 -1
20 μs Pulse Width
10 -1
T C = 25 °C
V DS = - 2 5 V
10 -1
10 0
10 1
4
5
6
7
8
9
10
91089_01
- V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
V GS
91089_03
3.0
- V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
I D = - 6.7 A
10 1
Top
- 15 V
- 10 V
2.5
V GS = - 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
2.0
10 0
- 5.0 V
Bottom - 4.5 V
- 4.5 V
1.5
1.0
0.5
10 -1
20 μs Pulse Width
T C = 175 °C
0.0
10 -1
10 0
10 1
- 60 - 40- 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
91089_02
- V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91089_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Document Number: 91089
S11-1052-Rev. C, 30-May-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
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